RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
48
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
48
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
10.4
Скорость записи, Гб/сек
9.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
1858
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link