RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
41
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2395
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link