RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2511
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB Сравнения RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link