RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3285
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link