RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3285
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link