RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
25
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3034
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link