RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
6.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1499
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link