RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Jinyu 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Jinyu 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Jinyu 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Jinyu 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
25
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Jinyu 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3209
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Jinyu 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link