RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
19.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3271
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link