RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2436
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link