RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
94
Около 73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
5.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
4.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
94
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
5.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
4.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1334
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-8GZH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link