RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
59
Около 58% меньшая задержка
Причины выбрать
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
59
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
20.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2382
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link