RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2462
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link