RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
11.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2449
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
INTENSO 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link