RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
43
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2659
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link