RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
59
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.4
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
40
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
9.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2117
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link