RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
59
Около -55% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3017
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link