RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
59
Около -157% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.7
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2339
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link