RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
85
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.0
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
85
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
11.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1118
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link