RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
59
Около -136% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2549
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link