RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
59
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3141
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link