RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
69
Около -165% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3596
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link