RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.0
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
20.0
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3911
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link