Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB

Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

58 64

Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

1,950.7 1,539.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

6400 5300

Около 1.21% выше полоса пропускания

Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

58 64
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 2,893.9
Скорость записи, Гб/сек

1,950.7 1,539.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 5300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

651 449

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston 9905734-003.A00G 32GB

Kingston 9905734-003.A00G 32GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB

Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM