RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3324
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link