RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
46
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3510
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link