Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 68

Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

2 15

Среднее значение в тестах

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Причины выбрать
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.8 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 3200

Около 6.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 68
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 15.0
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 21300

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 1904

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 9905598-028.A00G 8GB

Kingston 9905598-028.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB

Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB

модули RAM

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

модули RAM