RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3202
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link