RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
22.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3697
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link