RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
52
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
52
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2472
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link