RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3515
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link