Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 13.8

Среднее значение в тестах

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 46

Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.7 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 3200

Около 5.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 28
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 13.8
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 17000

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2443

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB

Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

модули RAM

Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB

Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

модули RAM