RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
60
Около -216% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3521
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link