RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
60
Около -122% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2687
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link