RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
60
Около -131% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2880
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link