RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Super Talent F26UB16GH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Super Talent F26UB16GH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Super Talent F26UB16GH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
60
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.7
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.5
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
8.7
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1769
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Super Talent F26UB16GH 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link