RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
73
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
73
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1843
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link