RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2553
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link