RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
77
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2697
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link