RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
77
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
52
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
10.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2260
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link