RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
77
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
65
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1932
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link