RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
20.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3806
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link