RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2757
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link