RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
77
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
47
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2875
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link