RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 14.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,622.0 left arrow 11.6
    Среднее значение в тестах
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    47 left arrow 77
    Около -64% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    77 left arrow 47
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,405.2 left arrow 14.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,622.0 left arrow 11.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    763 left arrow 2875

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
модули RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
модули RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
модули RAM
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
модули RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
модули RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
модули RAM