RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
33
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
19
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
19.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3370
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link