RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2104
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link