RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
41
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
19.5
Скорость записи, Гб/сек
8.3
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2176
3890
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link