RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2702
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link