Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 28

Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.1 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.8 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 19
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 19.1
Скорость записи, Гб/сек

7.5 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 2994

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB

модули RAM