RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3090
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link