RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
51
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
10.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2286
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link